大家好(hǎo)，来看一则突发(fā)消息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通(tōng)过网络安(ān)全审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日前(qián)，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法对美光公司在华(huá)销售产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发(fā)现，美光公(gōng)司产品存在较(jiào)严重网络安全(quán)问题(tí)隐患，对我国(guó)关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施供(gōng)应(yīng)链造成(chéng)重大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为(wèi)此，网络安(ān)全审查办公(gōng)室(shì)依法作出不予(yǔ)通过网络安全(quán)审查(chá)的结论。按(àn)照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息(xī)基础设(shè)施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产(chǎn)品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关(guān)键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规(guī)要(yào)求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网发文(wén)称，为保障关键信(xìn)息基础设施供应链安全(quán)，防范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)问(wèn)题(tí)隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民(mín)共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络(luò)安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国的存(cún)储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也(yě)是全(quán)球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入(rù)来自中国(guó)市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等世界上女性最开放的是哪个国家公(gōng)司披露(lù)过美光等国际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙(lóng)采购占比已经显著下(xià)降(jiàng)，至(zhì)少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大(dà)、第二大和第三(sān)大供应(yīng)商采购(gòu)金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76世界上女性最开放的是哪个国家％。

　　目前江波龙(lóng)已经在(zài)存储产业链上下(xià)游建(jiàn)立国内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数据等(děng)主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂签(qiān)署了(le)长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市(shì)场(chǎng)的供应优势(shì)，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光在(zài)中国区销(xiāo)售受(shòu)到限制(zhì)，或将导(dǎo)致下游客户转而(ér)采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜(mó)沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储被加(jiā)入美国(guó)限制名单，设备(bèi)国产化(huà)进(jìn)程加速，看(kàn)好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及(jí)存储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入增长。

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