大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室依(yī)法对美光公(gōng)司(sī)在华(huá)销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司(sī)产(chǎn)品存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国关键信(xìn)息基础设施供应链(liàn)造成重大(dà)安全(quán)风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依(yī)法作(zuò)出不予通(tōng)过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网(wǎng)络安全问题危(wēi)害(hài)国家关键信(xìn)息基础设施安全(quán)，是维护(hù)国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进高水地铁的时速一般是多少公里，地铁的时速一般是多少码平对外开放，只要(yào)遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各(gè)国(guó)企业、各(gè)类平台产品(pǐ地铁的时速一般是多少公里，地铁的时速一般是多少码n)服务进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网(wǎ地铁的时速一般是多少公里，地铁的时速一般是多少码ng)信网发(fā)文称，为保障关键信息基(jī)础设施(shī)供(gōng)应链安(ān)全，防范(fàn)产品问题(tí)隐患造成(chéng)网络安全风险，维(wéi)护国家安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安(ān)全审查办(bàn)法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是(shì)全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入来自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美(měi)光(guāng)在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场份额(é)约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江波(bō)龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国(guó)际存(cún)储(chǔ)厂商(shāng)为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙(lóng)采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第(dì)一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存(cún)储(chǔ)产(chǎn)业链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光、西部(bù)数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保存(cún)储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩固公(gōng)司在下(xià)游市场的供应优势，公司(sī)也与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的(de)合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光(guāng)在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到(dào)3维的(de)结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多设备需(xū)求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限制名单(dān)，设备国(guó)产化(huà)进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司份额提(tí)升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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