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　　美光公(gōng)司在华销售的产(chǎn)品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安(ān)全(quán)问题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设施供(gōng)应链造(zào)成重大(dà)安全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作出不予通过网络(luò)安全审查(chá)的结论(lùn)。按照《网络安全法》等(děng)法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设(shè)施的运营者(zhě)应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题(tí)危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护国家安全(quán)的(de)必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高(gāo)水平对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规要(yào)求(qiú)，欢迎各(gè)国企(qǐ)业(yè)、各类平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)供应(yīng)链安全(quán)，防范产品问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依据《中华人民(mín)共和国国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华(huá)人民(mín)共和(hé)国网络安全(quán)法》，网络安全审查(chá)办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是(shì)美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也(yě)是全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年苟以天下之大而从六国破亡之故事是又在六国下矣翻译，苟以天下之大而从六国古今异义收(shōu)入来自中国市场收入从此前(qián)高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力(lì)士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司披露过美(měi)光等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不(bù)是主(zhǔ)要大(dà)供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第(dì)二(èr)大和第(dì)三大供应商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业(yè)链(liàn)上(shàng)下(xià)游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在中苟以天下之大而从六国破亡之故事是又在六国下矣翻译，苟以天下之大而从六国古今异义(zhōng)国(guó)区销售受到限制，或(huò)将导致下游客户转而采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最大(dà)量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能会(huì)更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京电子(zi)披露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国限制名单，设备国(guó)产化(huà)进程加速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公司份额提升，以及存(cún)储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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