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　　美光(guāng)公司在(zài)华销售的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)对美(měi)光公(gōng)司在华(huá)销售产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重网络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对(duì)我(wǒ)国(guó)关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办(bàn)公室依法作出不予通过网(wǎng)络(luò)安全审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法(fǎ)律法规(guī)，我国内关(g李白《江湖行》全诗及翻译注释，李白《江湖行》全诗及翻译uān)键信息(xī)基础设(shè)施(shī)的运(yùn)营者应(yīng)停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目(mù)的是防范产品网络安(ān)全问题危害(hài)国家关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施(shī)安全，是(shì)维护国家安(ān)全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务(wù)进入(rù)中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网发文称，为保障关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链安全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国(guó)家安(ān)全(quán)，依(yī)据《中华人民(mín)共和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美(měi)国的存储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也是(shì)全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入来(lái)自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露(lù)过美(měi)光等国际存(cún)储厂(chǎng)商(shāng)为(wèi)公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著(zhù)下降，至(zhì)少已经不(bù)是主(zhǔ)要(yào)大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商采购(gòu)金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业(yè)链(liàn)上(shàng)下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的(de)供(gōng)应优势，公(gōng)司(sī)也(yě)与(yǔ)国内(nèi)国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国(guó)区销售受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、李白《江湖行》全诗及翻译注释，李白《江湖行》全诗及翻译长鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存储(chǔ)器(qì)的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最(zuì)大量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会(huì)更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单(dān)，设备国产(chǎn)化进(jìn)程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及存(cún)储业务占比(bǐ)较高(gāo)的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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